16:00 〜 16:15
[16p-E102-10] (001)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング
キーワード:酸化ガリウム、エッチング
本研究では, (001)面基板に対して, HClガスを用いた異方性エッチングを行い, 加工方法としての可能性を検証した.
一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
16:00 〜 16:15
キーワード:酸化ガリウム、エッチング