[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-10] (001)面β-Ga₂O₃基板に対する異方性HClガスエッチング

〇大島 孝仁¹、大島 祐一¹ (1.物材研)

キーワード：酸化ガリウム、エッチング

本研究では, (001)面基板に対して, HClガスを用いた異方性エッチングを行い, 加工方法としての可能性を検証した.