[16p-E102-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16p-E102-12] NiO Thin Film Formed on Heated β-Ga₂O₃ Substrate by Electron Beam Evaporation

〇Shinji Nakagomi¹, Takashi Yasuda¹ (1.Ishinomaki Senshu)

Keywords:Ga2O3, NiO, electron beam evaporation

600℃に加熱したβ-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着でNiOを成膜することで均一な連続薄膜が得られたのでその特性を報告する。X線回折測定からNiOが単一の結晶配向で成膜されていることがわかった。この方法で試作したダイオードの特性も報告する。