[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-4] 垂直ブリッジマン法で育成したβ-Ga₂O₃の線状ボイドの評価

〇(M1)小林 由登¹、干川 圭吾¹、太子 敏則¹ (1.信州大工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化物、半導体

EFG法で育成されたβ-Ga₂O₃には直線状の空洞欠陥が存在し、リークの原因になると言われる。一方私たちは垂直ブリッジマン法のβ-Ga₂O₃単結晶育成を行いて線状ボイドの存在を明らかにした。リン酸によってエッチングを行った際[010]方向に伸びる線状ボイドが観察されたが、EFG法によるものより同じエッチング時間でもエッチピットが小さいことからVB法の線状ボイドのサイズが小さいことが示唆された。