[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-6] ラマン分光によるサファイア基板上選択成長α-Ga₂O₃の相転移温度の面内依存性の評価

〇神野 莉衣奈¹、神崎 正美²、深津 晋¹ (1.東大総合、2.岡山大)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム、構造相転移

酸化ガリウム (Ga₂O₃) は約5 eVのバンドギャップエネルギーを持つ超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つである。Ga₂O₃の結晶多型の中でコランダム構造 (α相) は、Al₂O₃ (サファイア) との混晶化により5.4~8.8 eVの広範囲でバンドギャップ変調可能であり、高耐圧パワーエレクトロニクスや深紫外オプトエレクトロニクスへの応用が期待できる。しかし、α相は準安定相であるため、600℃以上の温度において熱的に最安定相であるβ相へ相転移し、特にイオン注入などのプロセス温度に耐えないことが課題である。本発表では、ラマン分光を用いたSAG α‑Ga₂O₃の熱的安定性および面内分布について報告する。