[16p-E102-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16p-E102-7] Band Structure Analysis of α-Ga₂O₃/Al₂O₃ Superlattices

〇Takahiro Kawamura¹, Toru Akiyama¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:gallium oxide, superlattice, first-principles calculation

Ga₂O₃の準安定相の１つであるα-Ga₂O₃は同じ結晶構造を持つα-Al₂O₃との混晶やヘテロ構造、超格子構造の形成が可能である。ヘテロ構造や超格子構造においては各層の格子定数差によって格子歪みが発生するため、コヒーレント成長可能な膜厚の制限や成長条件の最適化が課題となっておりまだまだ開発途上であるが 、今後のデバイス応用を見据えて、結晶成長技術の向上と共にその基本的特性の理解が必要である。そこで本研究ではα-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子におけるバンドエンジニアリングの指針を得ることを目的として、第一原理計算を用いてバンド構造解析を行った。