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[16p-PA04-11] Sub-bandgap-light-assisted C-V characteristics of MOS structure with Mg-doped p-GaN
Keywords:p-GaN, interface state
GaNは、大きな禁制帯幅、高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーMOSFET向けの材料として有望である。n-チャネルの高効率GaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp-GaNとの界面の制御および評価が必須となる。 高濃度にMgをドープしたp-GaNを用いたMOS構造に対して、サブバンドギャップ光支援C–V測定を試みた。