[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-11] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性

〇忽滑谷 崇秀¹、玉村 祐也¹、高津 海¹、佐藤 威友¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：p-GaN、界面準位

GaNは、大きな禁制帯幅、高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーMOSFET向けの材料として有望である。n-チャネルの高効率GaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp-GaNとの界面の制御および評価が必須となる。 高濃度にMgをドープしたp-GaNを用いたMOS構造に対して、サブバンドギャップ光支援C–V測定を試みた。