[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-17] MHz動作GaN-HEMT同期整流回路の検討

〇井手 利英^1,2、清水 三聡^1,2、高田 徳幸¹ (1.産総研 電子光、2.産総研GaN-OIL)

キーワード：GaN-HEMT、同期整流回路、MHz

GaN材料を母体としたパワーデバイスによるスイッチング回路はMHz領域での高速・高パワースイッチング動作とそれによる回路小型化が期待されている。しかし、低損失化のためには2次整流回路の低損失化が必要であり、MHz以上でのトランジスタ動作による同期整流回路が必要となる。今回はGaN-HEMTの特徴を活かした同期整流回路についてシミュレーションによる検討を実施したので報告する。