[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-3] 4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価

〇近藤 蓮¹、染谷 満^2,3、渡部 平司³、梅田 享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.阪大工)

キーワード：炭化ケイ素無極性面、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴分光

4H-SiC(11-20)面（a面）のMOS界面欠陥を電子スピン共鳴(ESR)・電流検出ESR分光(EDMR)によって調査した。これらの方法は4H-SiC(0001)面（Si面）では「P_bCセンター」と呼ばれる界面欠陥を観察できる。a面で同じような評価を行ったところ、界面のESR信号は観察されず、EDMRではSi面に比べて数10分の1の界面信号が観察された。これらの結果はa面の界面欠陥が未占有・2電子占有になっており、価電子帯側の界面準位密度がSi面に比べて大幅に低いことを示唆している。