[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-5] 4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション

〇西村 智朗¹ (1.法政大)

キーワード：SiC、チャネリング注入、臨界角

チャネリングイオン注入の可否を表す指標として臨界角がある。表面付近の臨界角を与える簡単な数式はあるが深い層に対する臨界角の予測は難しい。著者が開発した結晶中の入射イオン軌道計算、注入計算プログラム(scatGUI)を用いて表面での臨界角や深い層での臨界角を再現出来る事が分かったため詳細について報告します。