[16p-PA04-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-PA04-6] Comparison of properties of plasma-induced defects in GaN and GaAs

〇Akari Yamaya¹, Mayu Oshima¹, Yuta Kuwayama¹, Yutaro Tanaka¹ (1.Tokyo Metro. Univ.)

Keywords:gallium nitride, gallium arsenide, Plasma damage

今回，同じⅢ-Ⅴ族化合物半導体である GaAs について比較実験を行い，欠陥の起源および導入メカニズムについて検討したので報告する．
キャリアプロファイル変化の結果から，GaN，GaAs ともに，基板内部でキャリアの減少が確認され，同時に紫外線を照射することにより欠陥導入が促進されていることもわかる．一方，I-V 特性変化からは，GaN と GaAs とでは反対の傾向を示すことが確認できた．