[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-7] AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御

〇富樫 拓也¹、沖 勇吾¹、大澤 由斗¹、越智 亮太¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：半導体、窒化ガリウム