[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-6] GaN および GaAs のプラズマ照射誘起欠陥の比較

〇山谷 朱里¹、大島 真弓¹、桑山 優太¹、田中 優太朗¹ (1.都立大SD)

キーワード：窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、プラズマダメージ

今回，同じⅢ-Ⅴ族化合物半導体である GaAs について比較実験を行い，欠陥の起源および導入メカニズムについて検討したので報告する．
キャリアプロファイル変化の結果から，GaN，GaAs ともに，基板内部でキャリアの減少が確認され，同時に紫外線を照射することにより欠陥導入が促進されていることもわかる．一方，I-V 特性変化からは，GaN と GaAs とでは反対の傾向を示すことが確認できた．