[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-8] p-GaN 表面層に対する低損傷 PEC エッチングとその電気化学的評価

〇高津 海¹、久保 広太¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：p-GaN、PECエッチング