[16p-PA06-1~2] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[16p-PA06-2] Fabrication of heavily-doped p-type Si layer for semiconductor based spin devices

〇Mizue Ishikawa¹ (1.Nihon Univ. College of Engineering)

Keywords:spintronics

半導体スピン素子の実用化に向けたp⁺-Si中でのスピン伝導評価を行うため，高濃度p⁺-Si層の作製を検討している．前回の報告では，拡散アニール温度に依存した層表面の形状変化や表面粗さの増大を確認した．これまでの研究より，表面粗さが大きいとスピン信号強度が低下することを明らかにしている．そこで本研究では，高濃度p⁺-Si層の作製条件の見直しを行い，作製条件と表面形状の関係について再評価を行った．