2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[16p-PA09-1~18] 6.4 薄膜新材料

2023年3月16日(木) 16:00 〜 18:00 PA09 (ポスター)

16:00 〜 18:00

[16p-PA09-17] 還元型酸化タングステン薄膜のパルスレーザー堆積および導電性評価

加藤 礼雄1、庄司 拓貴1、金子 健太1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大 物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード:酸化タングステン

酸化タングステン(WxOy)はW(6+)〜W(2+)の広い酸化状態をとり得るため、α〜ε型の酸化相WO3や還元相WO2のほか、W18O49をはじめMagnéli相(WnO3n-1)など混合原子価酸化物も知られる。しかし、還元型結晶である相を成膜材料としたWO2相やMagnéli相のエピタキシーの報告はほとんどない極めて少ない。これらの還元相の薄膜では、結晶歪やドーピングが物性に及ぼす影響に関する重要な知見が得られると期待できる。本研究では、還元型酸化タングステン薄膜における構造と物性のWxOyエピタキシャル薄膜創製と構造・物性制御を目的として、還元型ターゲットを用いた還元相薄膜成長に与える雰囲気および基板温度の影響WxOyエピタキシャル薄膜の作製と結晶相制御をについて検討した。