[17a-A205-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-A205-1] パルスレーザー堆積法により作製したSiCN薄膜の機械的特性に及ぼす窒素ガス圧と基板温度の効果

〇(B)竹中 達貴¹、青井 芳史¹、野瀬 正照² (1.龍谷大理工、2.富山大)

キーワード：パルスレーザー堆積法、炭窒化ケイ素、機械的特性

本研究ではパルスレーザー堆積法（PLD法）により異なるガス圧、基板温度でのSiCN薄膜の製膜を試みた。製膜は窒素ガス導入なしでの製膜とチャンバー内に窒素ガスを導入し0.5×10⁻² Torr から3.0×10⁻² Torrの間で変化させ、また基板温度は25 ℃から500 ℃の間で変化させ行った。得られた薄膜の構造についてはRaman散乱分光法、X線光電子分光法(XPS)、原子間力顕微鏡 (AFM) により、機械的性質はナノインデンテーション試験で評価した。