[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-5] 界面形成手法によるSiO₂/β-Ga₂O₃(001)バンドアライメントの違いの考察

〇武田 大樹¹、女屋 崇²、生田目 俊秀³、喜多 浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域、3.物材機構)

キーワード：Ga2O3、バンドアライメント

界面形成手法を変えて作製したSiO₂/β-Ga₂O₃(001)のバンドアライメントの変化を評価した。成膜手法としてEB蒸着またはALD法を用い、成膜後に酸素アニールを600℃または1000℃で、1~3時間の条件で行った。その結果、EB蒸着とALD法ともにアニール時間による価電子帯オフセットの変化はほとんどなかった。またALD法ではアニール温度の変化による価電子帯オフセットの変化は大きく見られなかったのに対して、EB蒸着では高温でアニールを行うと価電子帯オフセットが顕著に小さくなった。