[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-6] 窒素ドープウエル層を有するノーマリーオフβ-Ga₂O₃トレンチMOSFET

〇脇本 大樹¹、林 家弘¹、ティユ クァン トゥ¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ベータ酸化ガリウム、縦型MOSトランジスタ、窒素ドープエピ

Ga₂O₃はp型導電層技術が未確立のため、我々はこれまでサブミクロンフィンチャネル構造を用いてしきい値電圧V_th>0 Vの縦型デバイスを実現してきた。一方で近年β-Ga₂O₃へNドーピングすることによりノーマリーオフ特性を有するトランジスタ作製が報告されている。そこで我々はNドーピングエピをチャネルに用いたフィン幅2 µmの縦型トレンチMOSFETを作製し、V_th 1.3 V、特性オン抵抗2.9 mΩ･cm²、電界効果移動度100 cm²/Vsという良好な特性を得たので報告する。