[17a-A303-1~6] 3.12 Semiconductor optical devices (formerly 3.13)

△ [17a-A303-5] Characterization of InGaAs Schottky Photodiodes with In₂O₃-based SWIR Transparent Conductive Oxide (TCO)

〇(DC)Hiroto Ishii^1,2, Kazuaki Oishi^1,2, Takashi Koida², Tetsuji Shimizu², Hiroyuki Ishii², Wen Hsin Chang², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:TCO, InGaAs, Photodiode

我々は、近赤外領域で透明かつ高い電気伝導率を有するIn₂O₃系透明導電性酸化膜(TCO)をゲート電極に用いたInGaAs PhotoFETを作製し、その分光感度特性からTCOの近赤外線検出デバイスへの有効性などを評価してきた。これまでにTCOがMOS構造におけるゲート電極として機能すると同時に、TCOを介した近赤外線の1800nmまでの広帯域検出とFET増幅効果による感度向上を見出している。今回は、表面照射型TCO/InGaAs Schottkyフォトダイオードを作製し、そのSchottky障壁と近赤外線感度特性を評価したので報告する。