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[17a-A403-5] 表面ラフネス散乱の非線形モデルにおける移動度と実効電界の関係とユニバーサリティを説明する係数ηの解釈
キーワード：半導体、表面ラフネス散乱、ユニバーサル移動度
異なる基板濃度を有するSi nMOSFETの電子移動度が, 実効電界に対してユニバーサルになることは実験的に, かつ表面ラフネス(SR)散乱の線形モデルによって理論的にもよく知られている. 一方で, SR散乱の非線形性を考慮したモデルを我々は以前に提案している. しかしながら, SR散乱の非線形モデルの散乱描像では移動度と実効電界の関係は不明瞭である. そこで本研究では, Si nMOSFETのSR散乱移動度のユニバーサリティが成立する起源を明らかにした.