[17a-A408-1~7] 6.3 Oxide electronics

[17a-A408-1] Fabrication and Structural Characterization of α-Ga₂O₃/4H-SiC Direct Bonding

〇(M1)Seishiro Yamamoto¹, Yuichi Oshima², Yutaka Ohno³, Yasuyoshi Nagai³, Naoteru Shigekawa¹, Jianbo Liang¹ (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.National Institute for Materials Science, 3.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:gallium trioxide, silicon carbide, surface-activated bonding

α型単結晶酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）は非常に大きなバンドギャップエネルギーを有することから、次世代パワー半導体材料として期待されている。しかし、デバイスの高出力動作において、Ga₂O₃の低い熱伝導率が課題となる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でα-Ga₂O₃と4H-SiCの直接接合を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。