The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[17a-A408-1~7] 6.3 Oxide electronics

Fri. Mar 17, 2023 9:30 AM - 11:30 AM A408 (Building No. 6)

Yukiharu Uraoka(NAIST)

9:30 AM - 9:45 AM

[17a-A408-1] Fabrication and Structural Characterization of α-Ga2O3/4H-SiC Direct Bonding

〇(M1)Seishiro Yamamoto1, Yuichi Oshima2, Yutaka Ohno3, Yasuyoshi Nagai3, Naoteru Shigekawa1, Jianbo Liang1 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.National Institute for Materials Science, 3.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:gallium trioxide, silicon carbide, surface-activated bonding

α型単結晶酸化ガリウム(α-Ga2O3)は非常に大きなバンドギャップエネルギーを有することから、次世代パワー半導体材料として期待されている。しかし、デバイスの高出力動作において、Ga2O3の低い熱伝導率が課題となる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でα-Ga2O3と4H-SiCの直接接合を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。