9:30 AM - 9:45 AM
[17a-A408-1] Fabrication and Structural Characterization of α-Ga2O3/4H-SiC Direct Bonding
Keywords:gallium trioxide, silicon carbide, surface-activated bonding
α型単結晶酸化ガリウム(α-Ga2O3)は非常に大きなバンドギャップエネルギーを有することから、次世代パワー半導体材料として期待されている。しかし、デバイスの高出力動作において、Ga2O3の低い熱伝導率が課題となる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でα-Ga2O3と4H-SiCの直接接合を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。