[17a-A408-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-A408-1] α-Ga₂O₃/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価

〇(M1)山本 誠志郎¹、大島 祐一²、大野 裕³、永井 康介³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大院工、2.物質・材料研究機構、3.東北大学金研)

キーワード：酸化ガリウム、炭化ケイ素、表面活性化接合法

α型単結晶酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）は非常に大きなバンドギャップエネルギーを有することから、次世代パワー半導体材料として期待されている。しかし、デバイスの高出力動作において、Ga₂O₃の低い熱伝導率が課題となる。今回、表面活性化接合法を用いて常温でα-Ga₂O₃と4H-SiCの直接接合を作製し、界面構造を評価した結果について報告する。