[17a-B309-1~10] 17.2 Graphene

[17a-B309-7] In-situ observation of graphene crystallinity in the device process by the backside Raman spectroscopy

〇(M1)Hironobu Seki¹, Koichi Tamura¹, Chao Tang¹, Hirokazu Hukidome¹, Akira Satou¹, Taiichi Otuji¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Raman spectroscopy, graphene

デバイスプロセス過程におけるグラフェンの結晶性の評価方法として、SiC基板上にエピタキシャル成長させた高品質グラフェンに適用可能な基板裏面からのラマン分光計測法の考案、GFETゲートスタックプロセスに対する有効性の実証、及びプロセス選定の実験的考察。