[17a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-B401-5] [分科内招待講演] BGaN半導体を用いた新奇中性子検出器の開発

〇中野 貴之^1,2、青木 徹^1,2 (1.静大電研、2.静大院)

キーワード：BGaN、中性子検出器、半導体検出器

III族窒化物半導体であるBGaNは、B原子が大きな中性子捕獲断面積を持つことから中性子検出半導体材料として期待される材料である。中性子捕獲元素となるB原子が半導体構成元素として含まれ有感層領域に多量のB原子を含有することができるため、中性子捕獲と信号検出の中性子検出を単一層で実施できる新奇中性子検出材料として提案され開発が行われている。本発表では、その開発内容について紹介を行う。