[17a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-B401-7] Recombination dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers grown by CVD using carbon-free precursors

〇Takumi Kasuya¹, Kohei Shima¹, Kazuhiko Hara², Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.RIE., Shizuoka Univ.)

Keywords:hexagonal boron nitride, cathodoluminescence

六方晶(h)BNは間接遷移型半導体でありながら深紫外光を高効率に発効する材料として注目されている。近年、bernal相の光学特性が報告され始め、さらに研究の幅を拡げている。静大の原らは炭素フリー原料を用いた減圧化学気相成長(CVD)法によりhBN薄膜を成長させ、構造及び光学特性を報告してきた。本講演では、同手法で成長環境の炭素源をさらに低減させた新規反応管を用いてCVD成長させたhBN薄膜の構造・光学特性を報告する。