[17a-B409-1~9] 12.1 作製・構造制御

[17a-B409-6] 銅フタロシアニン単結晶上に作製した p-n ヘテロ界面の結晶構造

〇中西 優生¹、伊藤 航世¹、宮本 淳之介¹、小林 俊稀¹、杉村 理恵¹、宮田 哲²、ロシャンタ クマーラ³、小金澤 智之³、中山 泰生^1,2 (1.東理大院理工、2.東理大理工、3.高輝度光科学セ)

キーワード：p-nヘテロ界面、X線回折

有機エレクトロニクスの代表例である有機薄膜太陽電池では、p型材料と n型材料とのヘテロ界面で励起子の解離が行われるため、その界面構造の解明は重要である。当講演ではp型有機半導体材料である銅フタロシアニンの単結晶上にn型有機半導体材料である16フッ化銅フタロシアニンおよびC60を積層し、高秩序なp-nヘテロ界面の構築を試みるとともに、その界面の結晶構造をX線回折法によって調査した結果について報告する。