[17a-B414-1~7] 17.3 層状物質

△ [17a-B414-4] 表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe₂ FET のp型動作

〇中島 隆一¹、西村 知紀¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹ (1.東京大工、2.埼玉大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、フェルミレベルピニング、表面偏析

Bi/Au二層系の表面偏析をWSe₂ショットキーFET動作に応用した。厚いBi膜でAu蒸着の熱ダメージを抑制し、蒸着後アニールを施して表面偏析によりBi膜厚を薄くした。それによりFETの特性を強いn型から両極特性に変化させた。