[17a-B414-1~7] 17.3 Layered materials

[17a-B414-5] Fabrication of TFET with high performance via laser-induced doping

〇Tianshun Xie¹, Mengnan Ke¹, Keiji Ueno², Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ, 2.Saitama Univ)

Keywords:Transition metal dichalcogenide, tunneling field effect transistors, laser irradiation

MoTe₂ に対して、レーザー照射ドーピング技術を使って部分的に結晶をドープするによって、TFETを成功に作製した。前回応用物理学会で報告した試料では最小のSS値が1 V/decであったが、今回300 nm SiO₂の代わりに30 nm程度のh-BNをゲート絶縁膜として用いることで、TFET特性の向上に成功した。