[17a-B414-1~7] 17.3 層状物質

[17a-B414-5] レーザー誘起ドーピング技術を用いた高性能TFETの作製

〇謝 天順¹、柯 梦南¹、上野 啓司²、青木 伸之¹ (1.千葉大工、2.埼玉大工)

キーワード：遷移金属ダイカコゲナイド、トンネル電界効果トランジスタ、レーザー照射

MoTe₂ に対して、レーザー照射ドーピング技術を使って部分的に結晶をドープするによって、TFETを成功に作製した。前回応用物理学会で報告した試料では最小のSS値が1 V/decであったが、今回300 nm SiO₂の代わりに30 nm程度のh-BNをゲート絶縁膜として用いることで、TFET特性の向上に成功した。