[17a-D209-1~8] 11.1 基礎物性

[17a-D209-1] 界面超伝導のFeSe/STOにおける電気二重層トランジスタによる膜厚制御

〇(M2)小川 浩生¹、小林 友輝¹、中川 大輝¹、鍋島 冬樹¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄系超伝導体、薄膜

STO基板上のFeSe単層膜では65Kで超伝導ギャップが開くと報告されており，特に界面効果によって超伝導が増強されていると考えられている．我々はPLD法を用いて表面処理したSTO基板上にFeSe薄膜を成膜し，界面効果と思われる超伝導転移を報告したが， 3nm程度のFeSe薄膜までしかゼロ抵抗が観測されていない．本講演では，塩谷らが開発したEDLTを使用して，界面効果を保ちつつ電子ドープをしながら極薄膜の抵抗の温度依存性を得ることを目標とした．