[17a-D419-1~12] 6.4 Thin films and New materials

△ [17a-D419-8] Protonation effect of β-MoO₃ thin films grown on a LSAT substrate by MBE

〇Keigo Nakai¹, Takeru Miyamoto¹, Ongko Richard¹, Yuichi Hirofuji¹, Nobuya Hiroshiba¹, Kazuto Koike¹ (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC)

Keywords:MoO3, MBE, protonation

これまで我々は，MBE法で格子整合系LSAT(100)基板にコヒーレント成長させた5 nmのWO₃薄膜をバッファ層とすることで，ミスオリエンテーションを含まない準安定β相MoO₃(100)薄膜がエピタキシャル成長することを報告している．今回，膜厚40 nmのβ-MoO₃(100)薄膜にプロトンを注入した結果，可視光から近赤外領域で透過率が大きく減少し，濃い青色に呈色した．これに伴い，Moの価数が減少し、さらに成長方向に格子が6%伸びることを明らかにした．