[17a-D505-1~10] 1.6 Ultrasonics

△ [17a-D505-8] Analysis of first-order mode RSAW on polarization inversion and intermediate electrode insertion structure ScAlN thin films/high velocity substrates

〇(B)Kei Hukunaga¹, Masashi Suzuki¹, Shoji Kakio¹ (1.Univ. of yamanashi)

Keywords:surface acoustic wave, AlN film

分極反転構造と中間電極挿入構造 ScAlN薄膜/高音速基板(Diamond, 6H-SiC, AlN, Al₂O₃ , Si)上の1次モードRSAW伝搬特性を解析した. 分極反転構造では膜厚を最適化することでSi基板以外のK²が単層薄膜構造の約1.2-1.3倍 となった. 中間電極挿入構造においてはすべての基板でK²が約1.4-1.7倍に上昇し, 分極反転構造よりも大きなK²増幅が確認できた.