[17a-D704-1~9] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[17a-D704-6] [第23回業績賞（研究業績）受賞記念講演] 酸化マグネシウム磁気トンネル接合の先駆的研究

〇湯浅 新治^1,2 (1.産総研、2.筑波大)

キーワード：スピントロニクス、磁気トンネル接合、MRAM

現在、スピントロニクス分野では結晶MgO障壁の磁気トンネル接合(MTJ)が応用の中核技術となっている。とくに製造プロセスに適合したCoFeB/MgO/CoFeB-MTJ素子は、大容量HDD用の高性能磁気ヘッドや不揮発性メモリSTT-MRAM、汎用磁気センサーなどで製品化されて広く普及している。本講演では、自身の約20年間の研究開発を振り返り、スピントロニクス応用の今後の方向性についても議論する。