[17a-D704-1~9] 10.3 Spin devices, magnetic memories and storages

[17a-D704-7] Highly efficient data acquisition and multilayer structure optimization of in-plane spin-valve-type CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions

〇Hiroaki Sukegawa¹, Thomas Scheike¹, Zhenchao Wen¹, Shinya Kasai¹, Seiji Mitani¹ (1.NIMS)

Keywords:magnetic tunnel junction, tunnel magnetoresistance, MgO

最近我々は単結晶強磁性トンネル接合（MTJ）を用いてバリア界面の最適化により大幅なTMR比向上を報告した。本研究では、この単結晶MTJ技術を応用素子で主流のCoFeB/MgO/CoFeB型多結晶MTJへの展開を検討した。複雑な多層膜構造の高速プロセス最適化のため高スループット成膜装置を活用し、ピン層を持つスピンバルブCoFeB/MgO/CoFeB型MTJのトンネル磁気抵抗（TMR）最適化を行った結果を報告する。