[17a-PA04-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

[17a-PA04-12] MoO₃の堆積を用いた非貴金属トップコンタクト電極の形成

〇溝口 嶺¹、小林 雅季¹、惟村 直輝¹、重森 海里¹、松本 峻誠¹、徐 晋¹、小野島 紀夫¹ (1.山梨大)

キーワード：有機トランジスタ、トップコンタクト電極、非貴金属

トップコンタクト電極下部のみに選択的にMoO₃を堆積し，貴金属ではない非貴金属を用いてOFETを作製した．その結果，MoO₃の堆積により非貴金属を用いたトップコンタクト型OFETでも良好なトランジスタ特性を得ることができたので報告する．