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[17a-PA05-6] TNPCon試料のµ-PCDマッピングにおける異常パターンの出現
キーワード:µ-PCD測定、極薄SiNx、パッシベーション評価
c-SiウェハーをCat-CVD装置で生成したNHxラジカルに曝すことで極薄SiNx膜を形成したTNPCon試料において、µ-PCD法でのτeffマッピングを行うと、「+」パターンの低τeff領域が出現する現象を確認した。この「+」パターンは、µ-Si膜のP濃度が高ければ高いほど明瞭に観察された。µ-PCD測定で用いるマイクロ波がP拡散により形成されたn+-Si層に沿って伝搬して試料端まで到達して反射され、干渉が発生した結果現れたものと考えられる。