[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-14] Effect of precursor pH on luminescence properties of sol-gel synthesized ZnGa₂O₄ films

〇(B)Kouhei Aiba¹, Kazutoshi Fukasaku¹, Yasuharu Ohgoe¹, Takayuki Nakane², Takashi Naka², Satoshi Ishii¹ (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)

Keywords:ZnGa2O4, sol-gel process, precursor

ZnGa₂O₄膜をゾル－ゲル法を用いて合成石英ガラス基板の表面に作製し、構造と発光特性を評価した。前駆体ゲルのpHを調整した結果、全てのpHに対し構造はZnGa₂O₄の他にZnOのピークを一部確認し、フォトルミネッセンスは500 nm付近の緑色領域と700 nm付近の赤色領域にピークを観測した。pHを高くすることで緑色領域のピークは小さくなり、赤色領域のピークは大きくなった。本結果から、前駆体ゲルのpH調整による発光色の制御が期待できる。