[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-2] RFマグネトロンスパッタ法による酸化ガリウム薄膜の作製と評価に関する研究

〇(M1)高橋 駿介¹、桑原 翔太¹、佐藤 祐喜¹、吉門 進三¹ (1.同志社大院理工)

キーワード：酸化ガリウム、RFマグネトロンスパッタ法

現在，発光デバイスやパワーデバイスの半導体材料としてSiに比べより特性向上が見込まれる新たな半導体の採用としてGa₂O₃への注目が高まっている。Ga₂O₃にはα， β， γ， δ， εの5種類の結晶構造が確認されており，最安定相のβ相で4.5~4.9eVと他の半導体材料と比較してバンドギャップが大きいという特徴がある。本研究では，RFマグネトロンスパッタ法によるβ- Ga₂O₃薄膜を種々の成膜条件で成膜し，評価を行ったので報告する。