[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-25] Anisotropic HCl gas etching of (010) β-Ga₂O₃ substrate

〇Takayoshi Oshima¹, Yuichi Oshima¹ (1.NIMS)

Keywords:Ga2O3, etching

本研究では、β-Ga₂O₃のエピタキシャル成長に広く利用されているハライド気相成長装置で、成長原料前駆体GaClの合成に使用されているHClを直接基板に供給してエッチング加工を試みたので報告する。