[17a-PB01-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17a-PB01-8] Growth of zinc oxide thin films on a-sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Zn source solutions

〇Kazuyuki Uno¹, Megumi Nishioka¹ (1.Systems Engineering, Wakayama University)

Keywords:zinc oxide, mist chemical vapor deposition, epitaxial growth

アセチルアセトナート化した原料水溶液を用い、ミストCVD法でa面サファイア基板上に酸化亜鉛を成長した。α型酸化ガリウムの結晶成長時と同様に、アンカリング機構により強いエピタキシャル成長性が期待されるが、この場合にどのようなエピタキシャル関係性をもって酸化亜鉛が結晶成長するのかを検討した。