[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-8] アセチルアセトナート化した亜鉛原料水溶液を用いたa面サファイア基板上酸化亜鉛薄膜のミストCVD成長

〇宇野 和行¹、西岡 恵¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：酸化亜鉛、ミストCVD法、エピタキシャル成長

アセチルアセトナート化した原料水溶液を用い、ミストCVD法でa面サファイア基板上に酸化亜鉛を成長した。α型酸化ガリウムの結晶成長時と同様に、アンカリング機構により強いエピタキシャル成長性が期待されるが、この場合にどのようなエピタキシャル関係性をもって酸化亜鉛が結晶成長するのかを検討した。