2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:45 A205 (6号館)

唐橋 一浩(阪大)、藤崎 寿美子(日立製作所)

14:15 〜 14:30

[17p-A205-6] チャンバー内での直接気化を利用した水蒸気プラズマによるOH基の修飾

田口 貢士1、柏木 大樹1、登尾 一幸1、山原 基裕1、富川 弥奈1、山村 明弘1 (1.魁半導体)

キーワード:プラズマ

精製水とグリセロールの混合液を直接チャンバー内で気化させることによって、気化装置を要しないOH基の表面修飾の達成を目的として実験を行った。
OH基の修飾の評価方法はSAMの形成ができるか確認することで行った。
プラズマ照射したスライドガラスにトリメトキシオクチルシランの蒸気を曝露させるとSAMが形成されたので、混合液を直接気化させてOH基の修飾が可能であることが示唆された。当日はその制御について議論する。