[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-8] 熱酸化膜/シリコン界面でのプラズマ誘起欠陥の発生と修復

〇布村 正太¹、坂田 功¹、堤 隆嘉²、堀 勝² (1.産総研、2.名大)

キーワード：欠陥、シリコン、酸化膜

先端半導体における界面と欠陥のマネージメンは、デバイス性能と信頼性の両面から極めて重要である。デバイス内の欠陥は、作製に用いるプラズマプロセスによって形成されることが多いが、異種材料間の界面近傍で生じる欠陥の発生メカニズムついては十分に解明されていない。今回、シリコン熱酸化膜 (Thermal SiO2)膜付 c-Si ウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、Thermal SiO2 / c-Si 界面近傍の欠陥の発生と修復について考察を進めたので報告する 。