2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤 正史(名工大)

13:00 〜 13:15

[17p-A301-1] サーマルロックインによるGaN HEMTのゲートリーク電流箇所の同定

〇(B)崎田 由樹1、小林 久雄2、馬 強1、齊藤 裕人1、大崎 賢司1、伊東 俊祐1、分島 彰男1 (1.名工大工、2.日本バーンズ)

キーワード:GaN HEMT、サーマルロックイン、ゲートリーク電流

GaN系HEMTの結晶欠陥に起因した局所的なリーク電流は、これまで、EL発光や電流AFMを用いた観察例が報告されている。しかしながら、これらは、SD間の電流が支配的な状況下のEL発光や、ゲート電極の無い基板表面のリーク電流など、ゲートリーク電流との関係は未だはっきりとしない。我々は、サーマルロックイン機能を用いることで、低ゲートバイアス時において、ゲートリーク電流発生が推測される場所の発熱を確認できたので報告する。