[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [17p-A301-1] Location of Gate Leakage of GaN HEMT Observed using Thermal Lock-in Analysis

〇(B)Yoshiki Sakita¹, Hisao Kobayashi², Qiang Ma¹, Hiroto Saito¹, Kenji Osaki¹, Syunsuke Ito¹, Akio Wakejima¹ (1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Nippon BARNES)

Keywords:GaN HEMT, thermal lock-in, gate leakage

GaN系HEMTの結晶欠陥に起因した局所的なリーク電流は、これまで、EL発光や電流AFMを用いた観察例が報告されている。しかしながら、これらは、SD間の電流が支配的な状況下のEL発光や、ゲート電極の無い基板表面のリーク電流など、ゲートリーク電流との関係は未だはっきりとしない。我々は、サーマルロックイン機能を用いることで、低ゲートバイアス時において、ゲートリーク電流発生が推測される場所の発熱を確認できたので報告する。