[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [17p-A301-1] サーマルロックインによるGaN HEMTのゲートリーク電流箇所の同定

〇(B)崎田 由樹¹、小林 久雄²、馬 強¹、齊藤 裕人¹、大崎 賢司¹、伊東 俊祐¹、分島 彰男¹ (1.名工大工、2.日本バーンズ)

キーワード：GaN HEMT、サーマルロックイン、ゲートリーク電流

GaN系HEMTの結晶欠陥に起因した局所的なリーク電流は、これまで、EL発光や電流AFMを用いた観察例が報告されている。しかしながら、これらは、SD間の電流が支配的な状況下のEL発光や、ゲート電極の無い基板表面のリーク電流など、ゲートリーク電流との関係は未だはっきりとしない。我々は、サーマルロックイン機能を用いることで、低ゲートバイアス時において、ゲートリーク電流発生が推測される場所の発熱を確認できたので報告する。