[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-13] N極性GaN HEMTのデジタルエッチングによる素子分離

〇斉藤 光亮¹、佐野 春樹¹、中川 亮¹、真壁 勇夫²、中田 健²、後藤 高寛¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.住友電気工業)

キーワード：N極性GaN HEMT、デジタルエッチング

N極性GaN HEMTの素子分離において、ウェットエッチングはドライエッチングやイオン注入に比べプロセスが簡略であり、プロセスダメージの抑制も期待される。我々はこれまでTMAHにより素子分離を行っていたが、表面が均一にエッチングされずシート抵抗が十分に上がらないことからデバイス応用に対しては不適であった。そこで本研究では、デジタルエッチングによる素子分離の有効性を検討し、作製したN極性GaN HEMTの電気特性を報告する。